Калифорнийское отделение австралийской компании 4D-S Pty. Ltd. В результате длительных исследований вплотную подошла к промышленной реализации технологии RRAM (Resistive Random Access Memory), которая вполне способна совершить переворот на рынке оперативной памяти. Основой работы ячеек памяти RRAM является свойство некоторых материалов изменять электрическое сопротивление под воздействием импульсов электрического тока. Эффект RRAM был впервые открыт еще в 2000 году, с тех пор по этой технологии было проведено множество академических исследований. Множество крупнейших компаний-производителей микросхем памяти, среди которых были такие известные как Sharp, Sony, Samsung, LSI, Panasonic, Winbond, Unity, Hynix, Micron, Elpida и другие, проводили собственные исследования в этой области. По имеющейся информации, только одни японские компании вложили в исследования технологии RRAM сумму более ста миллионов долларов. Но до сих пор не было найдено приемлемого решения в этой инновационной технологии.
Вполне естественно, что компания 4DS еще не раскрывает никаких подробностей реализации данной технологии, но по заявлению генерального директора 4DS Курта Пфлюгера (Kurt Pfluger), они в самом ближайшем будущем будут готовы продемонстрировать широкой общественности первую опытную технологическую линию по производству микросхем RRAM-памяти. На этой линии микросхемы RRAM будут производиться по ставшей уже традицией технологии CMOS ( Complementary Metal-Oxide Semiconductor). Опытные образцы микросхем, по прогнозам, будут демонстрировать поистине фантастические для нынешнего времени характеристики – энергонезависимая память с огромной емкостью, временем записи менее 5 наносекунд и способная выдержать более миллиарда циклов стирания-записи.
По сравнению с привычной Flash-памятью на базе ячеек NOR и NAND, реализация которых подошла к технологическому пределу, микросхемы RRAM для записи и хранения информации требуют гораздо меньшего тока, что сделает возможным применение их в электронном оборудовании с малым энергопотреблением.
Помимо технологии RRAM на пальму первенства в технологиях оперативной памяти могут претендовать и другие технологии, использующие совершенно иные физические принципы. Это и технология FRAM (Ferroelectric Random-Access Memory – память на ферроэлектрических ячейках), MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory – память на магнитно-резистивных ячейках), память на основе фазовых переходов вещества и другие. Все эти технологии сочетают в себе энергонезависимость существующей Flash-памяти со скоростью динамической памяти DRAM.
По заявлениям специалистов фирмы 4DS для производства микросхем RRAM требуется совсем незначительная перестройка ныне существующего оборудования, благодаря этому вполне возможен запуск серийного производства нового типа памяти в течении ближайших двух лет.
Источник:
